中走絲線切割，最后，顯影劑被噴在晶圓表面的光刻膠上以形成曝光圖案。顯影后，掩模上的圖案保留在光刻膠上。糊化、烘烤和顯影都是在均質(zhì)顯影劑中完成的，曝光是在平版印刷機(jī)中完成的。均化顯影機(jī)和光刻機(jī)一般都是在線操作，晶片通過機(jī)械手在各單元和機(jī)器之間傳送。

中走絲線切割，整個(gè)曝光顯影系統(tǒng)是封閉的，晶片不直接暴露在周圍環(huán)境中，以減少環(huán)境中有害成分對(duì)光刻膠和光化學(xué)反應(yīng)的影響。添加雜質(zhì)相應(yīng)的 p 和 n 半導(dǎo)體是通過向晶圓中注入離子而形成的。具體工藝是從硅片上的裸露區(qū)域開始，將其放入化學(xué)離子混合物中。

中走絲線切割，這個(gè)過程將改變摻雜區(qū)的傳導(dǎo)模式，使每個(gè)晶體管都能打開、關(guān)閉或攜帶數(shù)據(jù)。一個(gè)簡(jiǎn)單的芯片只能使用一層，但一個(gè)復(fù)雜的芯片通常有許多層。此時(shí)，該過程連續(xù)重復(fù)，通過打開窗口可以連接不同的層。

中走絲線切割，這與多層 pcb 的制造原理類似。更復(fù)雜的芯片可能需要多個(gè)二氧化硅層。此時(shí)，它是通過重復(fù)光刻和上述工藝來實(shí)現(xiàn)的，形成一個(gè)三維結(jié)構(gòu)。