快走絲報(bào)價(jià)單，相對(duì)于X-射線，電子束由于具有更短的波長(zhǎng)以及更強(qiáng)的衍射，因此電子衍射SAED應(yīng)用于納米晶體的結(jié)構(gòu)分析具有特別的意義，透射電鏡不僅可對(duì)納米晶體進(jìn)行高分辨成像而且可進(jìn)行電子衍射分析，已成為納米晶體材料不可或缺的研究方法，包括判斷納米結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)方向、解析納米晶體的晶胞參數(shù)及原子的排列結(jié)構(gòu)等。

快走絲報(bào)價(jià)單，應(yīng)用方向：判斷已知納米結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)方向，具體的方法是：首先拍攝形貌像，并且在同一位置做電子衍射，在形貌像上找出優(yōu)勢(shì)生長(zhǎng)面，與電子衍射花樣對(duì)照，找出與透射斑連線垂直于此晶面的透射斑，并進(jìn)行標(biāo)定，根據(jù)晶面指數(shù)換算出生長(zhǎng)方向。

快走絲報(bào)價(jià)單，晶帶正空間與倒空間對(duì)應(yīng)關(guān)系圖，某金屬氧化物一維納米線的透射電鏡及電子衍射圖，手動(dòng)解析納米晶體的晶體結(jié)構(gòu)參數(shù)，此種方法需要手動(dòng)傾轉(zhuǎn)樣品，兩個(gè)方向配合轉(zhuǎn)到正帶軸，快走絲報(bào)價(jià)單，在旋轉(zhuǎn)過(guò)程中要將樣品移回原位，因此需要操作者有足夠的經(jīng)驗(yàn)，而且要花費(fèi)一定的時(shí)間，對(duì)于不耐電子束輻照的樣品如有機(jī)晶體很難得到足夠多的正帶軸的電子衍射花樣。